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  • 半導體材料瓶頸可望突破或解決元件制備關鍵問題

    半導體材料瓶頸可望突破!臺灣科技部昨(3)日宣布,臺灣、日本、沙烏地阿拉伯等跨國團隊,已研究出單層二硫化鉬P-N接面,可望取代矽晶片成為新世代半導體核心元件,廣泛應用在穿戴式裝置及手機中

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  • 恩智浦發布最高速RF輸出功率器件,針對L波段雷達應用

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  • Vishay新款高性能TVS能夠實現對IC器件更好的保護

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