電容的單位換算,電容單位換算器
發(fā)布時(shí)間：2016/12/22 訪問人數(shù)：3182次
選擇目前的電容單位: 法拉(F)毫法(mF)微法(uF)納法(nF)微微法(pF)
選擇轉(zhuǎn)換后的電容單位: 法拉(F)毫法(mF)微法(uF)納法(nF)微微法(pF)
Farads法拉/法
Millifarads 毫法拉
Microfarads 微法
Nanofarads 納法
picofarad 微微法或皮法
電容的單位換算
1F=10^6uF=10^9nF=10^12pF
電容的基本單位用法拉(F)表示
1F=10^6uF=10^12pF
1F＝1000000μF
電容讀數(shù)
105= 1 μF=1000nF=1000000pF
104= 0.1 μF
103= 0.01 μF=10000PF
102= 0.001 μF =1000PF
224=0.22uF
國產(chǎn)電容容量誤差用符號(hào)F、G、J、K、L、M來表示， 允許誤差分別對(duì)應(yīng)為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%。
并聯(lián)補(bǔ)償所需電容的計(jì)算公式是：
C＝P/2πfU2(tgφ1－tgφ)
式中：P－電源向負(fù)載供電的有功功率，單位是瓦；
U－系統(tǒng)電壓，單位是伏；
F－系統(tǒng)頻率，單位是赫；
φ1－并聯(lián)電容之前，負(fù)載的阻抗角；
φ－并聯(lián)電容之后，系統(tǒng)的阻抗角； C－補(bǔ)償電容，單位是法。 進(jìn)口電容的標(biāo)識(shí),基本單位,單位換算關(guān)系單位：基本單位為P，輔助單位有G，M，N。換算關(guān)系為：<1G=1000μF><1M=1μF=1000PF>標(biāo)注法：通常不是小數(shù)點(diǎn)，而是用單位整數(shù)，將小數(shù)部分隔開。
例如：6G8=6.8G=6800μF；2P2=2.2μF；M33=0.33μF；68n=0。068μF有的電容器用數(shù)碼表示，數(shù)碼前2位為電容兩有效數(shù)字，第3位有效數(shù)字后面“零的”個(gè)數(shù)。數(shù)碼后綴J（5%）、K（10%）、M（20%）代表誤差等級(jí)。如222K=2200PF+10%，應(yīng)特別注意不要將Ｊ、Ｋ、Ｍ與我國電阻器標(biāo)志相混，更不要把電容器誤為電阻器。
電感的基本單位為:亨(H) 換算單位有:1H=1000mH,1H=1000000uH
頻率的具體換算關(guān)系 1MHz=1000000Hz,1MHz就是10的6次方Hz。 1KHz=0.001MHz。1KHz就是1000Hz
NTC熱敏電阻、熱敏電阻、NTC溫度傳感器www.shiheng.com.cn 時(shí)恒集團(tuán)公司通過廣泛的市場(chǎng)調(diào)研，以及對(duì)電容器行業(yè)與壓敏行業(yè)的發(fā)展歷程與現(xiàn)狀的研究，立足于自己在芯片配方及配方體系研究、芯片制造工藝研究、芯片規(guī)模化生產(chǎn)研究、芯片小型化研究、芯片耐沖擊研究、芯片可靠性研究等方面國內(nèi)獨(dú)一無二的核心優(yōu)勢(shì)，以及持續(xù)研發(fā)的強(qiáng)大實(shí)力，早于多年前就確立了努力打造芯片基地的戰(zhàn)略目標(biāo)，實(shí)現(xiàn)NTC熱敏電阻行業(yè)內(nèi)的專業(yè)化分工，謀求未來行業(yè)良性共贏的發(fā)展局面。
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